Tại hội nghị công nghệ Bắc Mỹ tuần này, TSMC công bố loạt quy trình sản xuất, đóng gói mới dành cho các mẫu chip trong tương lai, được hãng khẳng định sẽ phục vụ cho thế hệ AI sáng tạo tiếp theo.
Công nghệ có tên A16 kết hợp kiến trúc Super Power Rail của TSMC với các bóng bán dẫn kích thước nano. Giải pháp giúp tăng mật độ cổng logic cũng như hiệu suất của sản phẩm. Chip được sản xuất trên công nghệ mới sẽ phục vụ cho các hệ thống tính toán hiệu năng cao, với khả năng cải thiện tốc độ hơn 8-10% so với quy trình N2P hiện nay, đồng thời giảm 15-20% tiêu thụ năng lượng, giúp cải thiện hiệu quả cho các trung tâm dữ liệu.
A16 dự kiến được đưa vào quy trình sản xuất chip của TSMC từ năm 2026. Hiện công nghệ mới nhất được ứng dụng của nhà sản xuất này là N3E, trong khi sản phẩm sử dụng công nghệ tiên tiến hơn là N2 sẽ ra vào nửa cuối 2025.
Logo TSMC bên ngoài trụ sở công ty ở Đài Loan. Ảnh: TSMC
Theo MacRumors, A16 có thể giúp TSMC sản xuất chip trên tiến trình 1,6 nm. Tương tự những năm qua, Apple có thể là đối tác đầu tiên công bố các sản phẩm trang bị chip ứng dụng công nghệ mới của TSMC. Năm ngoái, Apple A17 Pro, có trong iPhone 15 Pro, là mẫu chip đầu tiên được sản xuất theo tiến trình 3 nm. Năm nay, iPhone 16 với chip A18 sẽ sử dụng công nghệ N3E, trong khi iPhone 2025 có thể là điện thoại đầu tiên dùng chip 2 nm với công nghệ N2.
Ngoài công nghệ A16, TSMC cũng giới thiệu loạt giải pháp mới, như CoWoS, cho phép đóng gói nhiều bộ vi xử lý và bộ nhớ băng thông cao theo kiểu xếp chồng, nhằm tăng hiệu năng trên một đơn vị diện tích. Hay System-on-Wafer (SoW), giúp tạo các khuôn chip lớn trên tấm wafer, từ đó tăng năng lực tính toán của chip và giảm không gian chiếm dụng trong trung tâm dữ liệu.
"Chúng ta đang bước vào một thế giới mà AI được trao quyền, nơi AI không chỉ chạy trong trung tâm dữ liệu, mà còn trong PC, thiết bị di động, ôtô và Internet vạn vật", CEO C.C. Wei của TSMC nói.
Hồi tháng 2, Intel cũng đưa ra kế hoạch "4 năm, 5 tiến trình", bổ sung các tiến trình mới như Intel 3, 18A và 14A, trong đó tiên tiến nhất là 1,4 nm, với mục tiêu vượt qua TSMC.
