Tập đoàn LONGi vừa chính thức giới thiệu Hi-MO S10, mô-đun điện mặt trời dân dụng thế hệ mới, ứng dụng công nghệ dị thể lai (HJT) kết hợp thiết kế tiếp xúc mặt sau (back-contact). Sản phẩm đạt hiệu suất chuyển đổi điện năng lên tới 25%, sử dụng các tế bào quang điện có hiệu suất 27,6%, công suất đầu ra tối đa 510W và mật độ công suất lên đến 252,3 W/m2.
Tấm pin vừa được ra mắt tại triển lãm Smarter E Europe 2025 tổ chức ở Munich, Đức.
"Đây là lần đầu tiên công nghệ tiếp xúc mặt sau sử dụng tế bào quang điện công nghệ lai (HJT) được ứng dụng thành công trong một mô-đun thương mại", LONGi cho biết.
Đặc biệt, Hi-MO S10 đạt hiệu suất tế bào lên tới 27,6% và hiệu suất mô-đun tối đa 25,2%, thiết lập một tiêu chuẩn mới cho ngành công nghiệp quang điện.
Tấm pin Hi-MO S10 có dải công suất từ 490W đến 510W, với mật độ công suất đạt từ 240,1-249,9 W/m2. Mô-đun gồm 54 tế bào, có 5 phiên bản khác nhau với hiệu suất chuyển đổi điện dao động từ 24,0-25,0%, cùng hệ số nhiệt -0,24%/°C.
Tấm pin có kích thước 1.800 mm × 1.134 mm × 30 mm, trọng lượng 23,5kg, được hoàn thiện với khung hợp kim nhôm mạ anod màu đen, sử dụng kính bán cường lực có độ dày lần lượt là 2,0mm và 1,6mm.
Sản phẩm mới của Longi đi kèm với chế độ bảo hành công suất kéo dài 30 năm. Trong đó, công suất đầu ra sau 30 năm vẫn được đảm bảo không thấp hơn 88,85% so với công suất định mức. Mức suy giảm công suất được đánh giá là 1% trong năm đầu tiên và 0,35%/năm kể từ năm thứ hai trở đi.
“Được thiết kế để chịu được các điều kiện khắc nghiệt, mô-đun có khả năng chịu tải lên đến 6000/3600 Pa”, nhà sản xuất mô-đun điện mặt trời hàng đầu Trung Quốc tiết lộ.
Nhờ đó, sản phẩm có thể chống chịu được tải trọng tuyết cực lớn, tương đương áp lực của 4m tuyết, cũng như các trận bão mạnh cấp 15. Xếp hạng chống cháy cấp A của mô-đun đảm bảo các tiêu chuẩn an toàn cao nhất.
Những tấm pin này được chế tạo từ các mảnh silicon loại N TaiRay có kích thước 182mm - một bước tiến mới trong công nghệ sản xuất silicon. Theo LONGi, loại vật liệu này giúp cải thiện sự đồng đều trong khả năng dẫn điện, giảm tạp chất kim loại và mang lại độ bền cao hơn cho tấm pin.
Ngoài ra, thiết kế hàn một đường kết hợp với việc bố trí toàn bộ điểm tiếp xúc điện ở mặt sau giúp giảm áp lực lên các cạnh của tế bào, hạn chế nguy cơ nứt vỡ trong quá trình sử dụng.
Tấm wafer có độ dày nhỉnh hơn 10 μm so với các sản phẩm phổ biến hiện nay, góp phần nâng cao độ bền và tuổi thọ. Công nghệ thụ động hóa hai cực ở mặt sau còn giúp giảm nhiệt độ điểm nóng tới 38,75% so với tế bào TOPCon thông thường, từ đó giảm đáng kể nguy cơ xảy ra các sự cố nhiệt có thể gây cháy, LONGi thông tin thêm.
Theo PV
