Năm 2021, Samsung ra mắt RAM LPDDR5X có tốc độ 8,5 Gbps. Sau ba năm, hãng tiếp tục đạt bước tiến đáng kể trong công nghệ chip nhớ di động khi nâng tốc độ của dòng này lên 10,7Gbps, vượt qua LPDDR5T 9,6 Gbps do SK Hynix giới thiệu năm ngoái.
Sản phẩm mới giúp khả năng chạy đa nhiệm của thiết bị mượt mà, thời gian tải ứng dụng và khả năng phản hồi nhanh hơn. Ngoài hiệu suất tăng 25% so với thế hệ trước, DRAM mới còn nhiều nâng cấp về công nghệ sản xuất. Chip nhớ này được tạo trên quy trình 12 nm, giúp kích thước nhỏ hơn và cho phép Samsung tăng 30% dung lượng. Hãng đang sản xuất DRAM mới với dung lượng đến 32 GB, cho phép mô hình AI lớn và phức tạp hơn hoạt động trên thiết bị di động.
