Công nghệ

Trung Quốc phát minh bộ nhớ RAM nhanh hơn 10.000 lần hiện tại

Ý chính

  • Nhóm nghiên cứu Trung Quốc phát triển công nghệ bộ nhớ PoX, nhanh hơn 10.000 lần bộ nhớ hiện tại.

  • PoX sử dụng graphene hai chiều thay vì silicon để ghi dữ liệu cực nhanh qua "siêu tiêm".

  • Công nghệ có khả năng ghi nhớ dữ liệu mà không cần nguồn điện, giúp tiết kiệm năng lượng.

  • Hiệu suất dài hạn và khả năng sản xuất hàng loạt của PoX vẫn chưa được công bố.

  • PoX chỉ mới trong giai đoạn thử nghiệm phòng thí nghiệm, chưa áp dụng thực tế.

Công nghệ này hứa hẹn sẽ định nghĩa lại kỳ vọng của chúng ta về phần cứng máy tính. PoX có khả năng ghi dữ liệu chỉ trong 400 pico giây, tương đương với khoảng 25 tỉ thao tác mỗi giây, nhanh hơn 10.000 lần so với bộ nhớ flash thông thường trong máy tính xách tay hiện nay.

Trong khi các loại RAM truyền thống như DRAM và SRAM rất nhanh nhưng lại mất dữ liệu khi mất điện, bộ nhớ flash lại có khả năng lưu trữ dữ liệu mà không cần nguồn điện, tuy nhiên chúng quá chậm cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI) hiện đại và các tác vụ dữ liệu chuyên sâu.

Đọc đầy đủ tại thanhnien.vn →

Nguồn: https://thanhnien.vn/trung-quoc-phat-minh-bo-nho-ram-nhanh-hon-10000-lan-hien-tai-185250422102814145.htm

Các tin khác

Việt Nam tiến tới chỉ còn mạng 4G và 5G

Việt Nam tiến tới chỉ còn mạng 4G và 5G

Mạng 2G sẽ tắt hoàn toàn sau khi người dùng chuyển sang thiết bị hỗ trợ cuộc gọi thoại VoLTE, tiến tới dừng mạng 3G và từ năm 2028 chỉ còn mạng 4G trở lên.