Trung Quốc phát minh bộ nhớ RAM nhanh hơn 10.000 lần hiện tại

Công nghệ này hứa hẹn sẽ định nghĩa lại kỳ vọng của chúng ta về phần cứng máy tính. PoX có khả năng ghi dữ liệu chỉ trong 400 pico giây, tương đương với khoảng 25 tỉ thao tác mỗi giây, nhanh hơn 10.000 lần so với bộ nhớ flash thông thường trong máy tính xách tay hiện nay.

ẢNH: WEIBO

Trong khi các loại RAM truyền thống như DRAM và SRAM rất nhanh nhưng lại mất dữ liệu khi mất điện, bộ nhớ flash lại có khả năng lưu trữ dữ liệu mà không cần nguồn điện, tuy nhiên chúng quá chậm cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI) hiện đại và các tác vụ dữ liệu chuyên sâu.

Đây chính là điểm mà PoX tạo ra sự khác biệt. Công nghệ này sử dụng graphene hai chiều (2D) thay vì silicon truyền thống, cho phép vận chuyển điện tích một cách siêu hiệu quả thông qua một quá trình gọi là "siêu tiêm" giúp nạp điện tích vào ô nhớ nhanh hơn nhiều so với trước đây.

Tương lai hứa hẹn của công nghệ bộ nhớ mới

Được công bố trên tạp chí Nature, nhóm nghiên cứu do Giáo sư Zhou Peng dẫn đầu đã áp dụng AI để tối ưu hóa quy trình thiết kế và nâng cao hiệu suất của PoX đến giới hạn lý thuyết. Điểm nổi bật của PoX là khả năng không dễ mất dữ liệu, cho phép nó ghi nhớ dữ liệu mà không cần nguồn điện. Điều này có thể giúp giảm mức tiêu thụ năng lượng trong nhiều thiết bị, từ máy chủ AI đến smartphone, đồng thời loại bỏ nhu cầu về bộ nhớ đệm SRAM cồng kềnh và tiêu tốn nhiều năng lượng.

Mặc dù nhóm nghiên cứu chưa công bố dữ liệu về hiệu suất dài hạn, như độ bền hay khả năng sản xuất hàng loạt, tiềm năng của PoX là rất lớn, ngay cả khi so với những công nghệ RAM được giới thiệu gần đây. Nếu PoX được mở rộng quy mô, nó có thể làm thay đổi mọi thứ, từ công nghệ tiêu dùng đến hệ thống quân sự.

Câu hỏi còn lại là bao lâu nữa chúng ta mới có thể thấy công nghệ này được áp dụng trong thực tế? Hiện tại, PoX vẫn chỉ là một phát triển trong phòng thí nghiệm với kết quả đầy hứa hẹn, tuy nhiên nó vẫn chưa được chứng minh trong bối cảnh sử dụng hằng ngày.