Các nhà nghiên cứu tại Đại học Dầu khí Tây Nam (Trung Quốc) đang phát triển một phương pháp mới nhằm nâng cao hiệu suất của pin mặt trời. Họ đã phát hiện lớp oxit kẽm (ZnO) có thể bảo vệ các tế bào quang điện silicon dị thể khỏi tác hại của tia cực tím, đồng thời tăng công suất đầu ra dự kiến lên 4,8% trong suốt vòng đời sử dụng.
Lớp phủ ZnO giúp giảm thiểu sự suy giảm hiệu suất chuyển đổi năng lượng mặt trời
