Công ty CXMT (Trung Quốc) đang thực hiện những bước tiến quan trọng trong quy trình sản xuất DRAM bằng việc áp dụng thành công vật liệu tiên tiến vào các bóng bán dẫn DRAM. Bước tiến này không chỉ giúp hạn chế dòng điện rò rỉ mà còn mở ra cơ hội cho việc phát triển các nút công nghệ tiên tiến hơn trong tương lai.
Hiện tại, CXMT đang sử dụng công nghệ High-k Metal Gate (HKMG) cho các bóng bán dẫn DRAM của mình. Khi các linh kiện được thu nhỏ đến kích thước nanomet, lớp cách điện silicon dioxide (SiO₂) truyền thống thường trở nên kém hiệu quả, dẫn đến hiện tượng rò rỉ điện qua lớp cách điện. Để khắc phục vấn đề, CXMT đã thay thế silicon dioxide bằng oxit hafni (HfO₂), một vật liệu có hằng số điện môi cao hơn, từ đó giúp lưu trữ nhiều điện tích hơn mà không làm tăng điện áp.
