Các nhà nghiên cứu từ Viện Công nghệ và Kỹ thuật Vật liệu Ninh Ba thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc vừa công bố phương pháp mới nhằm cải thiện hiệu suất của pin mặt trời perovskite/silicon ghép nối tiếp. Dẫn đầu bởi Giáo sư Ye Jichun, nhóm nghiên cứu đã cải thiện hiệu suất pin mặt trời với mức chuyển đổi năng lượng lên đến 31%.
Các nhà nghiên cứu đang nỗ lực cải thiện hiệu suất pin mặt trời perovskite.
