Một bước tiến đáng kể trong lĩnh vực năng lượng mặt trời đã được ghi nhận khi các nhà nghiên cứu Thụy Sĩ tại EPFL và CSEM phát triển thành công một tế bào quang điện ba lớp với hiệu suất được chứng nhận đạt 30,02%. Kỷ lục này không chỉ vượt qua mức 27,1% trước đó mà còn mở ra triển vọng mới cho các thiết kế năng lượng mặt trời có khả năng mở rộng và hiệu suất cao.
Hầu hết các tấm pin mặt trời đạt kỷ lục trước đây thường bị giới hạn bởi chi phí vật liệu cao hoặc chỉ có thể hoạt động trong điều kiện thí nghiệm lý tưởng. Tuy nhiên, thiết bị mới kết hợp một tế bào đáy bằng silicon với hai lớp perovskite được cấu tạo dưới dạng màng mỏng nhằm đạt hiệu suất cao mà không làm phức tạp quá trình sản xuất.
